1064nm 10nm帶通濾光片

帶通濾光片都是在特定的波段允許光信號通過，而偏離這個波段以外的兩側光信號就被阻止了，它的通帶相對來說都是比較寬的，一般半帶寬都是在40nm以上！而該產品是在帶通濾光片中分出來的，是屬于帶通濾光片的一種，它的定義跟帶通濾光片是一樣的，都是在特定的波段允許光信號通過，而偏離這個波段以外的兩側光信號就被阻止了，但是窄濾光片是相對來說是比較窄的。

蒸發沉積

在蒸發沉積時，真空室中的源材料受到加熱或電子束轟擊而蒸發。蒸氣冷凝在光學表面上。在蒸發期間，通過**控制加熱，真空壓力，基板定位和旋轉可以制造出具有特定厚度的均勻光學鍍膜。蒸發具有相對溫和的性質，會使鍍膜變得松散或多孔。這種松散的鍍膜具有吸水性，改變了膜層的有效折射率，將導致性能降低。通過離子束輔助沉積技術可以增強蒸發鍍膜，在該過程中，離子束會對準基片表面。這增加了源材料相對光學表面的粘附性，產生更多應力，使得鍍膜更致密，更耐久。

離子束濺射（IBS）

在離子束濺射（IBS）時，高能電場可以加速離子束。這種加速度使得離子具有顯著的動能。在與源材料撞擊時，離子束會將靶材的原子“濺射”出來。這些被濺射出來的靶材離子（原子受電離區影響變為離子）也具有動能，會在與光學表面接觸時產生致密的膜。 IBS是一種**的，重復性強的技術。

等離子體濺射

等離子體濺射是一系列技術的總稱，例如**等離子體濺射和磁控管濺射。不管是哪種技術，都包括等離子體的產生。等離子體中的離子經加速射入源材料中，撞擊松散的能量源離子，然后濺射到目標光學元件上。雖然不同類型的等離子體濺射具有其*的性質和優缺點，不過我們可以將這些技術集合在一起，因為它們具有共同的工作原理，它們之間的差異，相比這種鍍膜技術與本文中涉及的其他鍍膜技術之間的差異小得多。

原子層沉積

與蒸發沉積不同，用于原子層沉積（ALD）的源材料不需要從固體中蒸發出來，而是直接以氣體的形式存在。盡管該技術使用的是氣體，真空室中仍然需要很高的溫度。在ALD過程中，氣相前驅體通過非重疊式的脈沖進行傳遞，且脈沖具有自限制性。這種工藝擁有*的化學性設計，每個脈沖只粘附一層，并且對光學件表面的幾何形狀沒有特殊要求。因此這種工藝使得我們可以高度的對鍍層厚度和設計進行控制，但是會降低沉積的速率。

鍍膜工藝

不同的鍍膜沉積技術，具有各自的優缺點。瑞研光學可以采用不同的鍍膜沉積技術為您服務。請聯系瑞研光學，告訴我們哪種鍍膜技術適合您的應用。